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DATE - 2017/06/23
汎翊國際-- 2017年 新取得 授權代理證CET 場效電晶體(MOSFET)

汎翊國際 (FLYiNG) 銷售團隊，在電子業界自2000年至今已擁有十餘載豐富經驗。

獲授權代理證
 
2017年 新取得 授權代理證 華瑞功率電子股份有限公司(CET-MOS)

場效電晶體(MOSFET)。

 
 
MOSFET 產品線介紹
 
華瑞功率電子股份有限公司(CET-MOS) 為一群擁有多年研發設計及生產製造經驗的團隊所組成，
 
沿襲華瑞公司超過25年的技術與經驗，致力於開發高品質金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET) 之自有品牌公司。
 
CET-MOS 團隊可提供高可靠度之各種功率元件，亦協助各國際大廠ODM 與OEM設計封裝並提供完整解決方案。
 
CET-MOS擁有各種不同的封裝型式，適用於各類電力電子產品上。
 
CET-MOS產品之電壓範圍由 -200V (P 通道) 至高壓+1000V (N 通道), 並可提供單一或多核心之客製化產品。
 
CET-MOS產品已被廣泛應用於網路通訊、電源供應器、通訊電子產品、光電控制裝置、
 
消費性電子及工業應用產品等領域。提供客戶最有競爭力及完整快速的解決方案。
 
MOSFET

MOSFET是FET兩種主要形式之一。
 
是在源極（Source）區與洩極（Drain）區的半導體基板表面覆蓋在一層薄薄的二氧化矽（SiO2）作為絕緣層，
 
再把金屬沈積在氧化層上形成元件的閘極（Gate）而製成。
 
MOSFET又可分為兩種：增強式（Enhancement）與空乏式（Depletion）。
 
增強型（Enhancement，簡稱EMOS），是在MOSFET元件中增加通道載子，
 
加強通道（洩極與源極之間的導通路徑）的傳導性。
 
空乏型（Depletion，簡稱DMOS），則是在MOSFET元件中減少通道載子，降低通道的傳導性。
 
 
金屬氧化物半導體場效電晶體
 
金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），
 
是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體。
 
金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，
 
可分為電子占多數的N通道型與電洞占多數的P通道型，通常被稱為N型金氧半場效電晶體（NMOSFET）與P型金氧半場效電晶體（PMOSFET）。

以金氧半場效電晶體（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字「metal（金屬）」的第一個字母M，
 
在當下大部分同類的元件裡是不存在的。早期金氧半場效電晶體閘極使用金屬作為材料，但由於多晶矽在製造工藝中更耐高溫等特點，
 
許多金氧半場效電晶體閘極採用後者而非前者金屬。
 
然而，隨著半導體特徵尺寸的不斷縮小，金屬作為閘極材料最近又再次得到了研究人員的關注。

金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。
 
而絕緣閘極場效電晶體的閘極絕緣層，有可能是其他物質，而非金氧半場效電晶體使用的氧化層。
 
有些人在提到擁有多晶矽閘極的場效電晶體元件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是金氧半場效電晶體。

金氧半場效電晶體裡的氧化層位於其通道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度僅有數十至數百埃（A）不等，
 
通常材料是二氧化矽（SiO2），不過有些新的進階製程已經可以使用如氮氧化矽（silicon oxynitride, SiON）做為氧化層之用。

 
電路符號

常用於金氧半場效電晶體的電路符號有多種形式，最常見的設計是以一條垂直線代表通道（Channel），

兩條和通道平行的接線代表源極（Source）與汲極（Drain），左方和通道垂直的接線代表閘極（Gate），

如下圖所示。有時也會將代表通道的直線以虛線代替，

以區分增強型（enhancement mode，又稱增強式）金氧半場效電晶體或是空乏型（depletion mode，又稱空乏式）金氧半場效電晶體。

由於積體電路晶片上的金氧半場效電晶體為四端元件，所以除了源極（S）、汲極（D）、閘極（G）外，

尚有一基極（Bulk或是Body）。金氧半場效電晶體電路符號中，從通道往右延伸的箭號方向則可表示此元件為n型或是p型的金氧半場效電晶體。

箭頭方向永遠從P端指向N端，所以箭頭從通道指向基極端的為p型的金氧半場效電晶體，或簡稱PMOS（代表此元件的通道為p型）；反之則代表基極為p型，

而通道為n型，此元件為n型的金氧半場效電晶體，簡稱NMOS。在一般分散式金氧半場效電晶體元件中，通常把基極和源極接在一起，

故分散式金氧半場效電晶體通常為三端元件。而在積體電路中的金氧半場效電晶體通常因為使用同一個基極（common bulk），

所以不標示出基極的極性，而在PMOS的閘極端多加一個圓圈以示區別。

幾種常見的MOSFET電路符號，加上接面場效電晶體一起比較：


 
上圖中的金氧半場效電晶體符號中，基極端和源極端均接在一起，一般單一零件的MOSFET幾乎均如此，

但在積體電路中的金氧半場效電晶體則並不一定是這樣連接。

通常一顆積體電路晶片中相同通道的金氧半場效電晶體都共享同一個基極，

故某些情況下的金氧半場效電晶體可能會使得源極和基極並非直接連在一起，

例如串疊式電流源（cascode current source）電路中的部份NMOS就是如此。

基極與源極沒有直接相連的金氧半場效電晶體會出現基板效應（body effect）而部份改變其操作特性。