日本最大的半導體晶圓企業信越化學工業和從事ATM及通信設備的OKI開發出了以低成本製造使用氮化鎵（GaN）的功率半導體材料的技術。製造成本可以降至傳統製法的十分之一以下。如果能夠量産，用於快速充電器等用途廣泛，有利於普及。

功率半導體裝入充電器、小型家電以及連接純電動汽車（EV）馬達與電池的控制裝置，用於控制電力等。如果使用GaN，可以控制大量的電力。

信越化學工業和OKI開發的新技術可以在特有的基板上噴鎵係氣體，使晶體生長。信越化學工業的增厚晶體技術與OKI的接合技術相結合，從基板上只揭下晶體。晶體放在其他基板上作為功率半導體的晶圓使用。

特點是與使用GaN的功率半導體的其他製法相比，成本和性能更佔優勢。
在GaN基板上使GaN晶體生長的製法不僅製造耗費時間，成品率還很差，成本高。新製法可以高效製造晶體，可以降低9成成本。
與在矽基板上使GaN晶體生長的製法相比，不需要基板與晶體之間的絕緣層。加上晶體的厚膜化，可以通20倍大的電流。
信越化學工業等開發出了新技術，可以製造6英吋晶圓。希望2025年度內增大到8英吋。今後還考慮向半導體廠商銷售技術等業務模式。
可以通過大電流的使用GaN的功率半導體如果能夠低成本量産，在EV及EV快速充電器上也方便使用。與現在汽車不斷採用的碳化矽（SiC）功率半導體相比，快速充電器給每輛汽車的充電時間可以縮短到四分之一。

原料鎵大半是中國生産，中國從8月起將出口改為審批制。信越化學工業等的新製法使用出口審批對象外的派生氣體，因此不受限制的影響。
據富士經濟（東京中央區）預測，世界新一代功率半導體市場到2035年將達到5萬億日元，是2022年的31倍。其中，EV用功率半導體將拉動增長。如果GaN功率半導體也能用於EV，將大大改變功率半導體行業主要企業的版圖。