根據韓國媒體 THE ELEC 的報導，類比晶片大廠德州儀器 (TI) 的一位高層表示，該公司正在將其多個晶圓廠生產的 6 吋氮化鎵 (GaN) 晶片，轉移到 8 吋晶圓廠來生產。


報導指出，德州儀器韓國公司經理 Jerome Shin 在首爾舉行的新聞發布會上表示，德州儀器正在達拉斯和日本會津準備興建 8 吋晶圓廠，這將使其能夠提供更具價格競爭力的 GaN 晶片。

Jerome Shin 指出，人們普遍認為 GaN 晶片比碳化矽 (SiC) 晶片更昂貴，但這種看法自 2022 年以來發生了轉變。因為德州儀器正在將其生產由 6 吋晶圓廠轉換為 8 吋晶圓廠，而生產更大的晶圓代表著每個晶圓上都有更多的晶片，這可以提高公司的生產力，也使量產的 GaN 晶片價格能更加便宜。

而現階段，GaN 晶片的價格已經低於 SiC 晶片。未來，德州儀器在達拉斯和日本會津工廠的改造完成後，將能夠進一步能夠提供更便宜的解決方案。達拉斯工廠的擴產預計將於 2025 年完成，不過 Jerome Shin 並未透露日本會津工廠的時間表。

不過，有市場人士表示，德州儀器這樣的計畫可能會導致GaN晶片價格全面下跌。目前，德州儀器也正在將電源管理晶片的生產從 8 吋晶圓廠轉變為 12 吋晶圓。這動作也已經使產業間的電源管理晶片價格下跌。不過，將電源管理晶片的生產從 8 吋晶圓廠轉變為 12 吋晶圓這可使得德州儀器節省 10% 以上的成本。