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商品項目:16291
庫存現貨
DATE - 2019/12/27
村田製作所矽電容器
村田製作所矽電容器
較小的封裝具有更高的可靠性
3D矽電容器
高穩定性和可靠性的電容器
薄型電容器-厚度為100μm
高溫/高溫電容器-最高250°C
可引線鍵合的垂直電容器-包括高/極端溫度和低剖面引線鍵合嵌入式電容器-包括高/
極端溫度和低剖面超寬帶錶面貼裝和嵌入式電容器-高達100 GHz +
> 26 GHz的超寬帶可焊引線垂直電容器
超寬帶錶面貼裝差分電容器對
汽車高溫電容器-最高200°C
醫療級電容器
超低ESL和超薄型電容器-厚度為85μm

所有人的最佳選擇
苛刻的應用
村田製作所的高密度矽電容器是通過半導體MOS工藝開發的,並使用了三維大幅增加電容器表面,
從而它的電容而不增加電容器腳位。
村田製作所的矽技術嵌入在一個整體結構中單晶體基質
(單個MIM和多MIM-金屬絕緣子金屬)。