| FLYiNG 庫存現貨 | 電洽/Contact |
BWATTER
鏵德科技聚焦在大功率和高電壓的產品及應用的開發，在氮化鎵電源產品及方案已有相對穩定的客戶基礎，已成功打入成品市場，與台灣大廠(環球晶圓)為多年合作開發夥伴關係，新型氮化鎵器件也紛紛開始在電源大廠進行產品認證，未來具有成長潛力。主要應用在AC-DC雙向電源轉換器、戶外儲能電源產品 ; 因採用氮化鎵方案結合高效諧振技術，除了高效率也帶來更好散熱，目前資料中心、電信和其他工業應用，需要越來越大的電源供應，同時也需要減小系統尺寸、降低重量、環境影響和成本，並以相同或更小的外形尺寸達到更高的功率水準，同時提高熱性能的解決方案。也期望在市場提供更多高效能、節能環保的新一代功率器件。
鏵德科技最有價值的資產是一群長期鑽研用於氮化鎵產品之「設計開發」 (含IC元件設計及整合開發) 及「電源管理方案技術/產品/應用領域」的高素質技術團隊，整合了氮化鎵磊晶優化、氮化鎵晶圓生產、電源方案模組設計到成品應用等一條龍完整研發能力的團隊，並掌握整合上下游供應鏈的能力。
氮化鎵產品
整合式氮化鎵晶片
特點
分離式氮化鎵晶片
鏵德科技聚焦在大功率和高電壓的產品及應用的開發，在氮化鎵電源產品及方案已有相對穩定的客戶基礎，已成功打入成品市場，與台灣大廠(環球晶圓)為多年合作開發夥伴關係，新型氮化鎵器件也紛紛開始在電源大廠進行產品認證，未來具有成長潛力。主要應用在AC-DC雙向電源轉換器、戶外儲能電源產品 ; 因採用氮化鎵方案結合高效諧振技術，除了高效率也帶來更好散熱，目前資料中心、電信和其他工業應用，需要越來越大的電源供應，同時也需要減小系統尺寸、降低重量、環境影響和成本，並以相同或更小的外形尺寸達到更高的功率水準，同時提高熱性能的解決方案。也期望在市場提供更多高效能、節能環保的新一代功率器件。
鏵德科技最有價值的資產是一群長期鑽研用於氮化鎵產品之「設計開發」 (含IC元件設計及整合開發) 及「電源管理方案技術/產品/應用領域」的高素質技術團隊，整合了氮化鎵磊晶優化、氮化鎵晶圓生產、電源方案模組設計到成品應用等一條龍完整研發能力的團隊，並掌握整合上下游供應鏈的能力。
| 公司基本資料 | 授權代理商 |
| 鏵德科技股份有限公司 | 汎翊國際有限公司 |
| BWATTER TECHNOLOGY CO., LTD. | FLYING INTERNATIONAL. |
| 臺北市內湖區石潭路65號4樓 | 新北市三重區光復路一段80號五樓(台北科技城) |
| 創立日期：2021年6月 | 創立日期：2013年2月 |
| 實收資本額：NT$ 1億500萬 | 實收資本額：NT$ 2000萬 |
| 主要產品為氮化鎵產品 | Tel:02-2995-7676*222 |
| PM:李惠雄 Jason | |
| https://bwatter.com/index | mail:jason.li@flying1688.com |
氮化鎵產品
整合式氮化鎵晶片
特點
- 內置GaN功率晶片，集成高壓啓動電路，X電容放電功能
- 退磁檢測電路
- 搭配氮化鎵專用驅動電路及特有抖動技術(Frequency Jitter)
- 高低壓功率補償功能
- 豐富的保護功能，輸出OVP，OLP，短路保護，VCC，OCP等
- 兩種封裝形式，覆蓋12W-75W應用，適合高頻高功率密度電源
| bWT-G652R2B-P | bWT-G650R4B-D | bWT-G651R2B-P |
 |
 |
 |
|
準諧振反激控制AC-DC 功率開關電晶體
12W/650V/2.2Ω GaN HEMT 功率管驅動電路 ·邏輯控制電路 特點
應用
|
準諧振反激控制AC-DC 功率開關電晶體
45W/650V/400mΩ GaN HEMT 功率管驅動電路 ·邏輯控制電路 特點
應用
|
準諧振反激控制AC-DC 功率開關電晶體
20W/650V/1.2Ω GaN HEMT 功率管驅動電路 ·邏輯控制電路 特點
應用
|
Datasheet:.png) |
Datasheet: |
Datasheet: |
| bWT-G650R8B-P | bWT-G650R6B-P | bWT-G650R26B-D |
 |
 |
 |
|
準諧振反激控制AC-DC 功率開關電晶體
25W/650V/800mΩ GaN HEMT 功率管驅動電路 ·邏輯控制電路 特點
應用
|
準諧振反激控制AC-DC 功率開關電晶體
35W/650V/600mΩ GaN HEMT 功率管驅動電路 ·邏輯控制電路 特點
應用
|
準諧振反激控制AC-DC 功率開關電晶體
65W/650V/260mΩ GaN HEMT 功率管驅動電路 ·邏輯控制電路 特點
應用
|
| Datasheet: |
Datasheet: |
Datasheet: |
| bWT-G650R17B-D | ||
 |
||
|
準諧振反激控制AC-DC 功率開關電晶體
75W/650V/170mΩ GaN HEMT 功率管驅動電路 ·邏輯控制電路 特點
應用
|
||
| Datasheet: |
分離式氮化鎵晶片
| bWT-G650R13D-D | bWT-G650R23D-D | bWT-G650R13D-T |
.png) |
|
 |
|
特點
應用
|
特點
應用
|
特點
應用
|
| Datasheet: |
Datasheet: |
Datasheet: |
