| FLYiNG 零件編號 | ICLN2308LT1GLRC |
| FLYiNG 庫存現貨 | 電洽/Contact |
| 製造商 | LRC |
| 製造商零件編號 | LN2308LT1G |
| 說明 | 電晶體 LN2308LT1G SOT-23 LRC |
| 無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 | RoHS/Halogen Free |
| 訂購數量 | NTD 單價 / PCS |
| 1~9 | 6 |
| 10~99 | 3 |
| 離散式半導體 | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
| 製造商 | LRC |
| 原廠料號 | LN2308LT1G |
| 電晶體類型 | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
| 漏-源電壓VDSS | 60V |
| 閘-源電壓 VGSS | ±20V |
| 漏極電流ID | 2.6A |
| 漏-源擊穿電壓BVDSS | 60V |
| 閘極閥值電壓VGS(TH) | 1~3V |
| 漏-源電阻 RDS(on) | 130mOhm |
| 功耗 | 0.83W |
| 封裝／外殼 | SOT-23(TO-236) |
| 安裝類型 | SMD表面黏著式 |
| 無鉛狀態 RoHS | RoHS/Halogen Free |
| 備註 | AEC-Q101 |
| 標準包裝數量 | 3000/REEL 捲軸 |
文件:LN2308LT1G.png)
LN2308LT1G
60V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
FEATURES
LN2308LT1G
60V N通道增強型MOSFET
特點
LN2308LT1G
60V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
FEATURES
- VDS= 60V
- RDS(ON) ≤100mΩ@VGS =10V
- RDS(ON) ≤130mΩ@VGS =4.5V
- Super high density cell design for extremely low RDS(ON).
- Exceptional on-resistance and maximum DC current capability.
- We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free.
- Power Management in Note book
- Portable Equipment
- Battery Powered System
- Load Switch
- DSC
LN2308LT1G
60V N通道增強型MOSFET
特點
- VDS= 60V
- RDS(ON),≤100mΩ @ VGS = 10V
- RDS(ON),≤130mΩ @ VGS = 4.5V
- 超高密度單元設計，極低的RDS(ON)。
- 優異的導通電阻和最大直流電流能力。
- 我們聲明本產品材料符合RoHS要求並且無鹵素。
- 筆記本電源管理
- 便攜設備
- 電池供電系統
- 負載開關
- 數碼相機 (DSC)
