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商品項目:16981
庫存現貨

圖片僅供參考
MOSFET PJT7800 SOT-363 PANJIT
商品名稱 N-Channel Enhancement Mode MOSFET
訂購數量
依數量訂價
NTD
FLYiNG 零件編號 ICPJT7800PJ
FLYiNG 散料庫存 50
FLYiNG 標準包裝庫存 電洽/Contact
製造商 PANJIT
製造商零件編號 PJT7800
說明 MOSFET PJT7800 SOT-363 PANJIT
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS / Halogen Free
Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode MOSFET
製造商 PANJIT
系列 PJT7800
原廠料號 PJT7800
漏-源電壓VDSS 20V
閘-源電壓 VGSS ±8V
漏極電流ID 1A
靜態漏源導通電阻 RDS(ON) 150mohm
漏-源擊穿電壓BVDSS 20V
閘極閥值電壓VGS(TH) 1.0V
功耗 350mW
接面溫度 -55°C~+150°C
無鉛狀態 RoHS RoHS / Halogen Free
安裝類型 SMD 表面黏著式
封裝／外殼 SOT-363
標準包裝數量 3000/REEL 捲軸
文件:PJT3800​
PJT7800 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET – ESD Protected
Voltage 20 V
Current 1A

Features
  • RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@1.0A<150mΩ
  • RDS(ON) , VGS@2.5V, ID@0.7A<215mΩ
  • RDS(ON) , VGS@1.8V, ID@0.3A<400mΩ
  • Advanced Trench Process Technology
  • Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc.
  • ESD Protected 2KV HBM
  • Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
  • Green molding compound as per IEC61249 Std.(Halogen Free)
Mechanical Data
  • Case : SOT-363 Package
  • Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
  • Approx. Weight : 0.0002 ounces, 0.006 grams
  • Marking : T00​

PJT7800 20V N 通道增強型 MOSFET – ESD 保護
電壓 (VDS)：20V
電流 (ID)：1A

特性

  • RDS(ON) ≤ 150mΩ @ VGS = 4.5V, ID = 1.0A
  • RDS(ON) ≤ 215mΩ @ VGS = 2.5V, ID = 0.7A
  • RDS(ON) ≤ 400mΩ @ VGS = 1.8V, ID = 0.3A
  • 先進溝槽製程技術
  • 專為開關負載、PWM 應用等設計
  • ESD 保護達 2KV HBM
  • 符合 EU RoHS 2011/65/EU 無鉛指令
  • 符合 IEC61249 標準的環保封裝 (無鹵)

機械特性

  • 封裝形式：SOT-363
  • 端子處理：符合 MIL-STD-750, Method 2026 可焊性標準
  • 重量：0.0002 盎司 (0.006 克)
  • 標記：T00