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商品項目:16981
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N Channel Product CEU07N65B 650V 6A TO-252
商品名稱 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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NTD
FLYiNG 零件編號 ICCEU07N65BCET
FLYiNG 散料庫存 12
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製造商 CET
製造商零件編號 CEU07N65B
說明 N Channel Product CEU07N65B 650V 6A TO-252
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS
Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
製造商 CET
系列 CED07N65B/CEU07N65B
原廠料號 CEU04N65B
漏-源電壓VDS 650V
閘-源電壓 VGS ±30V
漏極電流ID 6A
漏-源擊穿電壓BVDSS 650V
閘極閥值電壓VGS(TH) 2~4V
功耗 107W
工作溫度 -55°C ~ 175°C
無鉛狀態 RoHS RoHS
安裝類型 SMD 表面黏著式
封裝/外殼 TO-252(D-PAK)
文件:CED07N65B/CEU07N65B
CED07N65B/CEU07N65B
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES
  • 700V@TJ max, 6A, RDS(ON) = 1.4W @VGS = 10V.
  • Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
  • High power and current handing capability.
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant.
  • Halogen Free.
  • TO-251 & TO-252 package.

CED07N65B / CEU07N65B
N 通道增強型場效電晶體 (MOSFET)

特性

  • 耐壓 (VDS):700V @ 最大結溫 (TJ max)
  • 導通電流 (ID):6A
  • 導通電阻 (RDS(ON)):1.4Ω @ VGS = 10V
  • 超高密度單元設計,極低 RDS(ON)
  • 高功率與大電流處理能力
  • 無鉛鍍層,符合 RoHS 規範
  • 無鹵素
  • 封裝類型:TO-251 & TO-252