圖片僅供參考
FLYiNG 零件編號 | LEDLTSTC150CKT |
FLYiNG 庫存現貨 | 30 |
製造商 | LITE-ON |
製造商零件編號 | LTST-C150CKT |
說明 | LED 1206 紅光 LTST-C150CKT |
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 | RoHS |
訂購數量 | NTD 單價 / PCS |
1~9 | 20 |
10~99 | 15 |
3000~ | 10 |
LED | SMD 貼片LED燈 SMD CHIP LED LAMP |
製造商 | LITE-ON |
原廠料號 | LTST-C150CKT |
說明 | LED 1206 紅光 LTST-C150CKT |
尺寸 | 1206 |
顏色 | 紅色 AlGaAs on GaAs Red |
峰值波長 Peak Wavelength | 660 nm |
正向電壓 Forward Voltage | 1.8V~2.4V |
功耗 Power dissipation | 100 mW |
正向電流 DC Forward Current | 40 mA |
反向電壓 Reverse Voltage | 5V |
工作溫度 | -55°C to + 85°C |
封裝/外殼 | 3.2x1.6x1.1mm |
安裝類型 | 表面黏著式 SMD |
無鉛狀態 RoHS | RoHS |
備註 | Lens:Water Clear |
標準包裝數量 | 3000/REEL 捲軸 |
Features
Meet ROHS, Green Product
Package In 8mm Tape On 7" Diameter Reels
EIA STD package
I. C compatible
Compatible With Automatic Placement Equipment
Compatible With Infrared And Vapor Phase Reflow Solder Process
------------------------------------------------------
特徵
符合ROHS,綠色產品。
封裝在7英寸直徑捲盤上的8mm膠帶中
EIA STD包裝
I. C兼容
與自動貼裝設備兼容
兼容紅外和氣相回流焊接工藝
LED 發光二極體
LED原理-發光二極體(Light Emitting Diode, LED)在1950年代末於實驗室發展出來,
1968年HP開始商業化量產,早期只有單調的暗紅色電子產品指示燈,
1992年Nichia突破藍光LED技術障礙後,逐漸衍生出多重色彩,亮度也大幅提高,並以顯示器(Display)、
表面黏著型(SMD等各種封裝型態深入生活中各個層面。
LED是利用電能直接轉化為光能的原理,在半導體內正負極2個端子施加電壓,當電流通過,使電子與電洞相結合時,
剩餘能量便以光的形式釋放,依其使用的材料的不同,其能階高低使光子能量產生不同波長的光,
人眼所能接受到各種顏色的光,,其波長介於400-780nm,
在此區間之外則為不可見光,包括紅外光及紫外光(UV)。
多數LED被稱為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體,
是由Ⅴ族元素(氮N、磷P、砷As等)與Ⅲ族元素(鋁Al、鎵Ga、銦In等)結合而成,
以與IC半導體所使用之矽(Si)等Ⅳ族元素區別。
傳統液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy, LPE) 與氣相磊晶法 (Vapor Phase Epitaxy, VPE),
以磷化鎵(GaP)或砷化鎵(GaAs)為基板,用於生產中低亮度LED及紅外光IrDa晶粒,
其亮度在1燭光(1000mcd)以下。
有機金屬氣相磊晶法(Metal Organic Vapor Epitaxy, MOCVD)用於生產高亮度LED,
其亮度約在6000-8000mcd。
以AlGaInP四種元素為發光層材料在砷化鎵基板上磊晶者,發出紅、橙、黃光之琥珀色系,
通稱為四元LED;以GaN為材料所生產的藍、綠光LED,則稱為氮化物LED,
一般以藍寶石(Sapphire)為基板,美國大廠CREE則發展出以碳化矽(SiC)為基板的製程。
Meet ROHS, Green Product
Package In 8mm Tape On 7" Diameter Reels
EIA STD package
I. C compatible
Compatible With Automatic Placement Equipment
Compatible With Infrared And Vapor Phase Reflow Solder Process
------------------------------------------------------
特徵
符合ROHS,綠色產品。
封裝在7英寸直徑捲盤上的8mm膠帶中
EIA STD包裝
I. C兼容
與自動貼裝設備兼容
兼容紅外和氣相回流焊接工藝
LED 發光二極體
LED原理-發光二極體(Light Emitting Diode, LED)在1950年代末於實驗室發展出來,
1968年HP開始商業化量產,早期只有單調的暗紅色電子產品指示燈,
1992年Nichia突破藍光LED技術障礙後,逐漸衍生出多重色彩,亮度也大幅提高,並以顯示器(Display)、
表面黏著型(SMD等各種封裝型態深入生活中各個層面。
LED是利用電能直接轉化為光能的原理,在半導體內正負極2個端子施加電壓,當電流通過,使電子與電洞相結合時,
剩餘能量便以光的形式釋放,依其使用的材料的不同,其能階高低使光子能量產生不同波長的光,
人眼所能接受到各種顏色的光,,其波長介於400-780nm,
在此區間之外則為不可見光,包括紅外光及紫外光(UV)。
多數LED被稱為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體,
是由Ⅴ族元素(氮N、磷P、砷As等)與Ⅲ族元素(鋁Al、鎵Ga、銦In等)結合而成,
以與IC半導體所使用之矽(Si)等Ⅳ族元素區別。
傳統液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy, LPE) 與氣相磊晶法 (Vapor Phase Epitaxy, VPE),
以磷化鎵(GaP)或砷化鎵(GaAs)為基板,用於生產中低亮度LED及紅外光IrDa晶粒,
其亮度在1燭光(1000mcd)以下。
有機金屬氣相磊晶法(Metal Organic Vapor Epitaxy, MOCVD)用於生產高亮度LED,
其亮度約在6000-8000mcd。
以AlGaInP四種元素為發光層材料在砷化鎵基板上磊晶者,發出紅、橙、黃光之琥珀色系,
通稱為四元LED;以GaN為材料所生產的藍、綠光LED,則稱為氮化物LED,
一般以藍寶石(Sapphire)為基板,美國大廠CREE則發展出以碳化矽(SiC)為基板的製程。