LED類型	Lamp LED
製造商	FLYING
原廠料號	F-TOL-503CWQC
照明色彩	白
鏡頭色彩	水透
圓徑	5 mm
腳距	2.54 mm
安裝類型	DIP 引腳

F-TOL-503CWQC Lamp LED

Features

• I.C. compatible.
• Low power consumption.
• Compatible with wave soldering process.
• 5mm diameter package.
• Long life, stable and reliable.
• RoHS compliant.

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F-TOL-503CWQC LED燈 

特徵

• 積體電路兼容
• 低功耗。
• 兼容波峰焊工藝。
• 5mm直徑封裝。
• 壽命長，穩定可靠。
• 符合 RoHS 標準。

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LED 發光二極體

LED原理-發光二極體(Light Emitting Diode, LED)在1950年代末於實驗室發展出來，

1968年HP開始商業化量產，早期只有單調的暗紅色電子產品指示燈，

1992年Nichia突破藍光LED技術障礙後，逐漸衍生出多重色彩，亮度也大幅提高，

並以顯示器(Display)、表面黏著型(SMD等各種封裝型態深入生活中各個層面。

LED是利用電能直接轉化為光能的原理，在半導體內正負極2個端子施加電壓，

當電流通過，使電子與電洞相結合時，剩餘能量便以光的形式釋放，依其使用的材料的不同，

其能階高低使光子能量產生不同波長的光，人眼所能接受到各種顏色的光，

其波長介於400-780nm，在此區間之外則為不可見光，包括紅外光及紫外光(UV)。 

多數LED被稱為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，是由Ⅴ族元素(氮N、磷P、砷As等)

與Ⅲ族元素(鋁Al、鎵Ga、銦In等)結合而成，以與IC半導體所使用之矽(Si)等Ⅳ族元素區別。

傳統液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy, LPE) 

與氣相磊晶法 (Vapor Phase Epitaxy, VPE)，以磷化鎵(GaP)或砷化鎵(GaAs)為基板，

用於生產中低亮度LED及紅外光IrDa晶粒，其亮度在1燭光(1000mcd)以下。

有機金屬氣相磊晶法(Metal Organic Vapor Epitaxy, MOCVD)用於生產高亮度LED，

其亮度約在6000-8000mcd。

以AlGaInP四種元素為發光層材料在砷化鎵基板上磊晶者，

發出紅、橙、黃光之琥珀色系，通稱為四元LED；以GaN為材料所生產的藍、綠光LED，

則稱為氮化物LED，一般以藍寶石(Sapphire)為基板，美國大廠CREE則發展出以碳化矽(SiC)為基板的製程。