Chat with us, powered by LiveChat
0
商品項目:16291
庫存現貨

圖片僅供參考
N Channel Product CEM6188A 60V SO-8
附件下載
CEM6188A
商品名稱 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
訂購數量
依數量訂價
13 NTD
FLYiNG 零件編號 ICCEM6188ACET
FLYiNG 庫存現貨 30
製造商 CET
製造商零件編號 CEM6188A
說明 N Channel Product CEM6188A 60V SO-8
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS
訂購數量 NTD 單價 / PCS
1~9 13
10~99 10
Power MOSFET Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
製造商 CET
系列 CEM6188A
原廠料號 CEM6188A
漏-源電壓VDS 60V
閘-源電壓 VGS ±20V
漏極電流ID 7.4A
漏-源擊穿電壓BVDSS 60V
閘極閥值電壓VGS(TH) 1~3V
功耗 2W
工作溫度 -55 to 150 °C
無鉛狀態 RoHS RoHS
安裝類型 SMD 表面黏著式
封裝／外殼 SO-8(SOP-8)
標準包裝數量 100/Tube,2500/Reel,5000/Box
重量 73.34mg
CEM6188A
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES
  • 60V, 7.4A, RDS(ON) = 23mohm @VGS = 10V.
                     RDS(ON) = 31mohm @VGS = 4.5V.
  • Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
  • High power and current handing capability.
  • RoHS compliant.
  • Surface mount Package.
CEM6188A
雙 N 溝道增強型場效應晶體管

特徵
  • 60V，7.4A，RDS(ON) = 23mohm @VGS = 10V。
                        RDS(ON) = 31mohm @VGS = 4.5V。
  • 超高密度電池設計，可實現極低的 RDS(ON)。
  • 高功率和電流處理能力。
  • 符合 RoHS 標準。
  • 表面貼裝封裝。