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N Channel Product CEN2310L 30V 4.8A SOT-23
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| 商品名稱 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 訂購數量 | |
| 依數量訂價 | 8 NTD |
| FLYiNG 零件編號 | ICCEN2310LCET |
| FLYiNG 庫存現貨 | 15 |
| 製造商 | CET |
| 製造商零件編號 | CEN2310L |
| 說明 | N Channel Product CEN2310L 30V 4.8A SOT-23 |
| 無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 | RoHS |
| 訂購數量 | NTD 單價 / PCS |
| 1~9 | 8 |
| 10~99 | 6 |
| Power MOSFET | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 製造商 | CET |
| 系列 | CEN2310L |
| 原廠料號 | CEN2310L |
| 漏-源電壓 VDS | 30V |
| 閘-源電壓 VGS | ±12V |
| 漏極電流 ID | 4.8A |
| 漏-源擊穿電壓 BVDSS | 30V |
| 閘極閥值電壓 VGS(TH) | 0.4~1V |
| 功耗 | 1.25W |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C |
| 無鉛狀態 RoHS | RoHS |
| 安裝類型 | SMD 表面黏著式 |
| 封裝／外殼 | SOT-23-T |
| 標準包裝數量 | 3000PCS/REEL |
| 重量 | 9.26mg |
CEN2310L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
CEN2310L N溝道增強型場效應晶體管
特徵
FEATURES
- 30V, 4.8A, RDS(ON) = 34mW @VGS = 10V.
RDS(ON) = 40mW @VGS = 4.5V.
RDS(ON) = 45mW @VGS = 2.5V.
RDS(ON) = 60mW @VGS = 1.8V. - High dense cell design for extremely low RDS(ON).
- Rugged and reliable.
- SOT-23-T package.
- RoHS compliant.
CEN2310L N溝道增強型場效應晶體管
特徵
- 30V、4.8A、RDS(ON) = 34mW @VGS = 10V。
RDS(ON) = 40mW @VGS = 4.5V。
RDS(ON) = 45mW @VGS = 2.5V。
RDS(ON) = 60mW @VGS = 1.8V。 - 用於極低 RDS(ON) 的高密度電池設計。
- 堅固可靠。
- SOT-23-T 封裝。
- 符合 RoHS 標準。
