| FLYiNG 零件編號 | IC2N7002KTBPJ |
| FLYiNG 庫存現貨 | 5 |
| 製造商 | PANJIT |
| 製造商零件編號 | 2N7002KTB |
| 說明 | TR 2N7002KTB SOT-523 PANJIT |
| 無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 | RoHS / Halogen Free |
| 訂購數量 | NTD 單價 / PCS |
| 1~9 | 25 |
| 10~99 | 15 |
| 100~2999 | 8 |
| 3000~ | 0.7 |
| Power MOSFET | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 製造商 | PANJIT |
| 系列 | 2N7002KTB |
| 原廠料號 | 2N7002KTB |
| 漏-源電壓VDSS | 60V |
| 閘-源電壓 VGSS | ±20V |
| 漏極電流ID | 115mA |
| 漏-源擊穿電壓BVDSS | 60V |
| 閘極閥值電壓VGS(TH) | 1~2.5V |
| 功耗 | 200mW |
| 接面溫度 | -55°C~+150°C |
| 無鉛狀態 RoHS | RoHS / Halogen Free |
| 安裝類型 | SMD 表面黏著式 |
| 封裝／外殼 | SOT-523 |
文件:2N7002KTB .png)
2N7002KTB 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
FEATURES
MECHANICAL DATA
2N7002KTB 60V N 溝道增強型 MOSFET - ESD 保護
特徵
機械數據
2N7002KTB 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
FEATURES
- RDS(ON), VGS@10V,IDS@500mA=3Ω
- RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@200mA=4Ω
- Advanced Trench Process Technology
- High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
- Very Low Leakage Current In Off Condition
- Specially Designed for Battery Operated Systems, Solid-State Relays Drivers : Relays, Displays, Lamps, Solenoids, Memories, etc.
- ESD Protected 2KV HBM
- Lead free in compliance with EU RoHS2.0 (2011/65/EU & 2015/865/EU directive)
- Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
MECHANICAL DATA
- Case: SOT-523 Package
- Terminals: Solderable per MIL-STD-750,Method 2026
- Approx. Weight: 0.00007 ounces, 0.002 grams
- Marking: 27
2N7002KTB 60V N 溝道增強型 MOSFET - ESD 保護
特徵
- RDS(ON), VGS@10V,IDS@500mA=3Ω
- RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@200mA=4Ω
- 先進的溝槽工藝技術
- 超低導通電阻的高密度單元設計
- 關斷條件下漏電流極低
- 專為電池供電系統、固態繼電器驅動器設計：繼電器、顯示器、燈、螺線管、存儲器等。
- ESD 保護 2KV HBM
- 無鉛，符合歐盟 RoHS2.0（2011/65/EU 和 2015/865/EU 指令）
- 符合 IEC61249 標準的綠色模塑料 . （無鹵素）
機械數據
- 案例：SOT-523封裝
- 端子：按照 MIL-STD-750，方法 2026 可焊接
- 約 重量：0.00007 盎司，0.002 克
- 標記：27
