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商品項目:16291
庫存現貨

圖片僅供參考
N Channel Product CEN2306A 20V 4.1A SOT-23
商品名稱 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
訂購數量
依數量訂價
8 NTD
FLYiNG 零件編號 ICCEN2306ACET
FLYiNG 庫存現貨 10
製造商 CET
製造商零件編號 CEN2306A
說明 N Channel Product CEN2306A 20V 4.1A SOT-23
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS
訂購數量 NTD 單價 / PCS
1~9 8
10~99 6
Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
製造商 CET
系列 CEN2306A
原廠料號 CEN2306A
漏-源電壓 VDS 20V
閘-源電壓 VGS ±12V
漏極電流 ID 4.1A
漏-源擊穿電壓 BVDSS 20V
閘極閥值電壓 VGS(TH) 0.4~1V
功耗 1.25W
工作溫度 -55°C ~ 150°C
無鉛狀態 RoHS RoHS
安裝類型 SMD 表面黏著式
封裝／外殼 SOT-23-T
標準包裝數量 3000PCS/REEL
文件:CEN2306A
CEN2306A
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES
  • 20V, 4.1A, RDS(ON) = 45mW @VGS = 4.5V.
                     RDS(ON) = 55mW @VGS = 2.5V.
                     RDS(ON) = 110mW @VGS = 1.8V.
  • High dense cell design for extremely low RDS(ON).
  • RoHS compliant.
  • Rugged and reliable.
  • SOT-23-T package.
CEN2306A
N通道增強模式場效應晶體管
 
特點
  • 20V，4.1A，RDS(ON) = 45mΩ @ VGS = 4.5V。
                        RDS(ON) = 55mΩ @ VGS = 2.5V。
                        RDS(ON) = 110mΩ @ VGS = 1.8V。
  • 高密度電池設計，極低的RDS(ON)。
  • 符合RoHS標準。
  • 堅固可靠。
  • SOT-23-T封裝