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商品項目:16291
庫存現貨

圖片僅供參考
P Channel CEM4435A 30V 8A SO-8
商品名稱 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
訂購數量
依數量訂價
8 NTD
FLYiNG 零件編號 ICCEM4435ACET
FLYiNG 庫存現貨 電洽/Contact
製造商 CET
製造商零件編號 CEM4435A
說明 P Channel CEM4435A 30V 8A SO-8
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS
訂購數量 NTD 單價 / PCS
1~9 8
10~99 6
電晶體 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
原廠料號 CEM4435A
漏-源電壓VDS -30V
閘-源電壓VGS ±20V
漏-源擊穿電壓BVDSS -30V
漏極電流ID -8A
閘極閥值電流VGS(th) -1~-3V
功耗 2.5W
工作溫度 -55°C ~ 150°C
無鉛狀態RoHS RoHS
安裝類型 SMD 表面黏著式
封裝/外殼 SO-8(SOP-8)
標準包裝數量 100/Tube,2500/Reel,5000/Box
重量 73.34mg
文件:CEM4435A
CEM4435A
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES
  • -30V, -8A, RDS(ON) = 20mΩ @VGS = -10V.
                     RDS(ON) = 33mΩ @VGS = -4.5V.
  • Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
  • High power and current handing capability.
  • Lead-free plating;RoHS compliant
  • Surface mount Package.

CEM4435A
P-通道增強型場效應電晶體

特點
  • -30V,-8A,RDS(ON) = 20mΩ @VGS = -10V。
                         RDS(ON) = 33mΩ @VGS = -4.5V。
  • 超高密度電池設計,極低RDS(ON)。
  • 高功率和電流處理能力。
  • 無鉛鍍層;符合RoHS
  • 表面貼裝封裝。