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商品項目:16291
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TR UT3400G-AE3-R SOT-23 UTC
商品名稱 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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NTD
FLYiNG 零件編號 ICUT3400GAE3RUTC
FLYiNG 庫存現貨 電洽/Contact
製造商 UTC
製造商零件編號 UT3400G-AE3-R
說明 TR UT3400G-AE3-R SOT-23 UTC
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS / Halogen Free
電晶體類型 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
原廠料號 UT3400G-AE3-R
漏-源電壓VDSS 30V
閘-源電壓 VGSS ±12V
漏極電流ID 5.8A
漏-源擊穿電壓BVDSS 30V
閘極閥值電壓VGS(TH) 0.7~1.4V
功耗 1.4W
接面溫度 +150°C
無鉛狀態RoHS RoHS
安裝類型 SMD 表面黏著式
封裝／外殼 SOT-23
標準包裝數量 2500/REEL 捲軸
文件:UT3440 UTC 無衝突金屬聲明書
UT3400 Power MOSFET
5.8A, 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

DESCRIPTION
The UTC UT3400 is an N-ch enhancement MOSFET providing the customers with perfect RDS(ON) and low gate charge. This device can be operated with 2.5V low gate voltage.
The UTC UT3400 is optimized for applications, such as a load switch or in PWM.

FEATURES
  • RDS(ON) ≤ 28 mΩ @ VGS=10V, ID=5.8A
  • RDS(ON) ≤ 33 mΩ @ VGS=4.5V, ID=5.0A
  • RDS(ON) ≤ 52 mΩ @ VGS=2.5V, ID=4.0A
UT3400 功率金屬氧化物半導體場效應電晶體（Power MOSFET）
5.8A，30V N通道增強模式功率MOSFET

描述

UTC UT3400 是一款N通道增強模式MOSFET，提供客戶優越的RDS(ON)和低閘極電荷。該器件可在2.5V低閘極電壓下操作。
UTC UT3400 適用於載荷開關或PWM等應用。

特點
  • RDS(ON) ≤ 28 mΩ @ VGS=10V, ID=5.8A
  • RDS(ON) ≤ 33 mΩ @ VGS=4.5V, ID=5.0A
  • RDS(ON) ≤ 52 mΩ @ VGS=2.5V, ID=4.0A