| FLYiNG 零件編號 | ICLN2306LT1GLRC |
| FLYiNG 庫存現貨 | 15,000 |
| 製造商 | LRC |
| 製造商零件編號 | LN2306LT1G |
| 說明 | 電晶體 LN2306LT1G SOT-23 LRC |
| 無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 | RoHS/Halogen Free |
| 訂購數量 | NTD 單價 / PCS |
| 1~9 | 6 |
| 10~99 | 3 |
| 離散式半導體 | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
| 製造商 | LRC |
| 原廠料號 | LN2306LT1G |
| 電晶體類型 | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
| 漏-源電壓VDSS | 30V |
| 閘-源電壓 VGSS | ±12V |
| 漏極電流ID | 5.8A |
| 漏-源擊穿電壓BVDSS | 30V |
| 閘極閥值電壓VGS(TH) | 0.7~1.4V |
| 漏-源電阻 RDS(on) | 62mOhm |
| 功耗 | 1.4W |
| 封裝／外殼 | SOT-23(TO-236) |
| 安裝類型 | SMD表面黏著式 |
| 無鉛狀態 RoHS | RoHS/Halogen Free |
| 備註 | AEC-Q101 |
| 標準包裝數量 | 3000/REEL 捲軸 |
文件:LN2306LT1G.png)
LN2306LT1G
S-LN2306LT1G
30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
FEATURES
LN2306LT1G
S-LN2306LT1G
30V N通道增強型MOSFET
特點
LN2306LT1G
S-LN2306LT1G
30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
FEATURES
- VDS= 30V
- RDS(ON), VGS@10V, IDS@5.8A ≤ 38mΩ
- RDS(ON), VGS@4.5V, IDS@5.0A ≤ 43mΩ
- RDS(ON), VGS@2.5V, IDS@4.0A ≤ 62mΩ
- We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free.
- S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable.
- Advanced trench process technology
- High density cell design for ultra low on-resistance
LN2306LT1G
S-LN2306LT1G
30V N通道增強型MOSFET
特點
- VDS= 30V
- RDS(ON),VGS@10V, IDS@5.8A ≤ 38mΩ
- RDS(ON),VGS@4.5V, IDS@5.0A ≤ 43mΩ
- RDS(ON),VGS@2.5V, IDS@4.0A ≤ 62mΩ
- 我們聲明本產品材料符合RoHS要求並且無鹵素。
- S-前綴適用於汽車及其他需要獨特現場和控制變更要求的應用；符合AEC-Q101標準和PPAP能力。
- 先進的溝槽工藝技術
- 具有超低導通電阻的高密度單元設計
