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4N120L-TQ2-T TO-263 (管裝)
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FLYiNG 零件編號 IC4N120LTQ2TUTC
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製造商 UTC
製造商零件編號 4N120L-TQ2-T
說明 4N120L-TQ2-T TO-263 (管裝)
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS / Halogen Free
Power MOSFET Planar Power MOSFET & DEPLETION-MODE MOSFET
製造商 UTC
系列 4N120
原廠料號 4N120L-TQ2-T
漏-源電壓VDSS 1200V
閘-源電壓 VGSS ±30V
漏極電流ID 4A
漏-源擊穿電壓BVDSS 1200V
閘極閥值電壓VGS(TH) 3~5V
功耗 140W
工作溫度 -55 ~ +150°C
無鉛狀態 RoHS RoHS / Halogen Free
安裝類型 DIP 引腳
封裝/外殼 TO-263
標準包裝數量 3000/REEL 捲軸
文件:4N120
4N120 Power MOSFET
4.0A, 1200V N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION

The UTC 4N120 provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.

FEATURES
  • RDS(ON) ≤ 4.0 Ω @ VGS=10V, ID=2.0A
  • Low Reverse Transfer Capacitance
  • Fast Switching Capability
  • Avalanche Energy Specified
  • Improved dv/dt Capability, High Ruggedness

4N120 功率 MOSFET
4.0A, 1200V N 型通道功率 MOSFET

描述

UTC 4N120 提供優異的 RDS(ON)、低柵極電荷和低柵極電壓操作性能。此器件適合用作負載開關或 PWM 應用。

特點

  • RDS(ON) ≤ 4.0 Ω @ VGS=10V, ID=2.0A
  • 低反向傳輸電容
  • 快速開關能力
  • 規範的雪崩能量
  • 改良的 dv/dt 能力,高穩健性