圖片僅供參考
| FLYiNG 零件編號 | TVSP6SMB180AYAGEO |
| FLYiNG 散料庫存 | 3,000 |
| FLYiNG 標準包裝庫存 | 電洽/Contact |
| 製造商 | BRIGHTKING |
| 製造商零件編號 | P6SMB180A |
| 說明 | TVS P6SMB180A 600W 180V SMB 單向 Brightking |
| 無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 | RoHS |
| 二極體 | SMD 瞬態電壓抑制器 SMD Transient Voltage Suppressor |
| 製造商 | BRIGHTKING |
| 系列 | SMBJ Series |
| 原廠料號 | P6SMB180A |
| 說明 | TVS P6SMB180A 600W 180V SMB 單向 Brightking |
| 峰值功率 Peak power | 600W |
| 電壓 Voltage | 180V |
| Breakdown voltage Min (V) | 171V |
| Breakdown voltage Max (V) | 189V |
| Breakdown voltage IT (mA) | 1mA |
| 功耗 | 5W |
| 通道 | 單向 |
| Device Marking Code | 180C |
| 溫度範圍 | -55 to +150°C |
| 封裝／外殼 | SMB/DO-214AA |
| 安裝類型 | SMD 表面黏著式 |
| 無鉛狀態 | RoHS |
文件:P6SMB Series BrightKing.png)
P6SMB SERIES
Transient Voltage Suppressors
Features
P6SMB SERIES
Transient Voltage Suppressors
Features
- For surface mounted applications in order to optimize board space
- Low profile package
- Built-in strain relief
- Glass passivated junction
- Low inductance
- Excellent clamping capability
- 600W peak pulse power capability at 10/1000μs waveform, repetition rate (duty cycle): 0.01%
- Fast response time
- Typical IR less than 1μA above 12V
- High Temperature soldering: 260°C/10 seconds at terminals
- Plastic package has underwriters laboratory flammability 94V-0
- Meets MSL level 1, per J-STD-020
- Safety certification: UL
- IEC61000-4-2 ESD 30KV Air, 30KV contact compliance
- Case: JEDEC DO-214AA. Molded plastic over glass passivated junction
- Terminal: Tin plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
- Polarity: Color band denotes cathode except bi-directional models
- Standard Packaging: 12mm tape (EIA STD RS-481)
- Weight: 0.10g
- I/O interface
- AC/DC power supply
- Low frequency signal transmission line (RS232, RS485, etc.)
GSM7002K
60V N 通道增強型 MOSFET
產品描述
GSM7002K 是一款 N 通道增強型 MOSFET，採用先進的溝槽技術（Advanced Trench Technology），可提供出色的 RDS(ON) 和低柵極電荷。
此元件特別適用於低電壓電源管理，例如智慧型手機、筆記型電腦及其他電池供電電路。此外，在商業與工業表面貼裝應用中，當需要低線路功率損耗時，該元件是一個理想的選擇。
產品特性
- 60V / 0.5A，RDS(ON) = 2.4 Ω @ VGS = 10V
- 60V / 0.3A，RDS(ON) = 3 Ω @ VGS = 4.5V
- 超高密度單元設計，實現極低 RDS(ON)
- 優異的導通電阻與最大直流電流承載能力
- 內建 ESD（靜電防護）二極體，保護能力達 2KV
- SOT-23 封裝設計
應用領域
- 驅動器：繼電器、電磁閥、燈、擊錘、顯示器、記憶體、電晶體等
- 高飽和電流能力，可直接與 TTL/CMOS 邏輯電路介接
- 電池供電系統
- 固態繼電器（Solid-State Relays）
