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N Channel Product CEU04N65A 650V 3.1A TO-252
商品名稱 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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NTD
FLYiNG 零件編號 ICCEU04N65ACET
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製造商 CET
製造商零件編號 CEU04N65A
說明 N Channel Product CEU04N65A 650V 3.1A TO-252
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS
Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
製造商 CET
系列 CED04N65A/CEU04N65A
原廠料號 CEU04N65A
漏-源電壓VDS 650V
閘-源電壓 VGS ±30V
漏極電流ID 3.1A
漏-源擊穿電壓BVDSS 650V
閘極閥值電壓VGS(TH) 2~4V
功耗 66W
工作溫度 -55°C ~ 150°C
無鉛狀態 RoHS RoHS
安裝類型 SMD 表面黏著式
封裝/外殼 TO-252(D-PAK)
文件:CED04N65A/CEU04N65A
CED04N65A/CEU04N65A
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES
  • 700V@TJ max, 3.1A, RDS(ON) = 2.8Ω @VGS = 10V.
  • Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
  • High power and current handing capability.
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant.
  • Halogen Free.
  • TO-251 & TO-252 package.

CED04N65A/CEU04N65A
N 通道增強型場效應電晶體

特點

  • 700V @ TJ 最大值,3.1A
  • RDS(ON) = 2.8Ω @ VGS = 10V
  • 超高密度單元設計,實現極低 RDS(ON)
  • 高功率與電流處理能力
  • 無鉛引腳電鍍,符合 RoHS 規範
  • 無鹵素
  • TO-251 & TO-252 封裝