| FLYiNG 零件編號 | ICFMBT5551HFMS |
| FLYiNG 庫存現貨 | 電洽/Contact |
| 製造商 | Formosa |
| 製造商零件編號 | FMBT5551-H |
| 說明 | TR NPN FMBT5551-H SOT-23 Formosa |
| 無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 | RoHS / Halogen Free |
| 訂購數量 | NTD 單價 / PCS |
| 1~9 | 7 |
| 10~99 | 5 |
| 100~999 | 3 |
| 1000~2999 | 1 |
| 3000~ | 0.5 |
| 電晶體 Transistor | High Voltage Transistors NPN Silicon |
| 製造商 | Formosa |
| 系列 | FMBT3904 |
| 原廠料號 | FMBT3904-H |
| 集電極-基極電壓 | 180V |
| 集電極-發射極電壓 | 160V |
| 發射極-基極電壓 | 6V |
| 功耗 | 0.225W |
| 封裝／外殼 | SOT-23 2.8X1.2X0.89mm |
| 安裝類型 | SMD 表面黏著式 |
| 無鉛狀態 RoHS | RoHS / Halogen Free |
| 標準包裝數量 | 3000/REEL |
文件:FMBT5550/FMBT5551.png)
FMBT5550 / FMBT5551
High Voltage Transistors
NPN Silicon
Features
FMBT5550 / FMBT5551
High Voltage Transistors
NPN Silicon
Features
- High collector-emitterbreakdien voltage (B = 140V~ 160V@I =1mA) VCEO C
- This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display driving
- Epitaxial planar die construction
- Lead-free parts meet RoHS requirements
- Suffix "-H" indicates Halogen-free part, ex.FMBT5550-H
- Epoxy:UL94-V0 rated flame retardant
- Case : Molded plastic, SOT-23
- Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
- Mounting Position : Any
- Weight : Approximated 0.008 gram
FMBT5550 / FMBT5551
高電壓電晶體
NPN 矽
特性
- 高集極-射極崩潰電壓（VCEO = 140V ~ 160V @ IC = 1mA）
- 此元件適用於通用高電壓放大器及氣體放電顯示驅動
- 外延平面結構設計
- 無鉛元件，符合 RoHS 標準
- 產品後綴「-H」表示無鹵版本，例如 FMBT5550-H
機械數據
- 環氧樹脂：符合 UL94-V0 阻燃等級
- 封裝：模塑塑膠，SOT-23
- 端子：鍍焊錫，符合 MIL-STD-750，方法 2026 可焊性標準
- 安裝方向：任意
- 重量：約 0.008 克
