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N Channel Product CEZC16R10LA 100V 29A P-PAK3x3
商品名稱 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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FLYiNG 零件編號 ICCEZC16R10LACET
FLYiNG 庫存現貨 5
製造商 CET
製造商零件編號 CEZC16R10LA
說明 N Channel Product CEZC16R10LA 100V 29A P-PAK3x3
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS
Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
製造商 CET
系列 CEZC16R10LA
原廠料號 CEZC16R10LA
漏-源電壓VDS 100V
閘-源電壓 VGS ±20V
漏極電流ID 29A
漏-源擊穿電壓BVDSS 100V
閘極閥值電壓VGS(TH) 1~2.5V
功耗 25W
工作溫度 -55°C ~ 150°C
無鉛狀態 RoHS RoHS
安裝類型 SMD 表面黏著式
封裝/外殼 P-PAK 3x3
文件:CEZC16R10LA
CEZC16R10LA
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES
  • 100V, 29A, RDS(ON) = 16mW @VGS = 10V.
                             RDS(ON) = 24mW @VGS = 4.5V.
  • Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).
  • High power and current handing capability.
  • RoHS compliant.

CEZC16R10LA
N 通道增強型場效電晶體

特性

  • 耐壓 (VDS):100V
  • 電流 (ID):29A
  • 導通電阻 (RDS(ON)):
    • 16mΩ @ VGS = 10V
    • 24mΩ @ VGS = 4.5V
  • 超高密度單元設計,實現極低 RDS(ON)
  • 高功率與大電流處理能力
  • 符合 RoHS 標準