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商品項目:16981
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N Channel Product CEU630A 200V 8.8A TO-252
商品名稱 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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NTD
FLYiNG 零件編號 ICCEU630ACET
FLYiNG 散料庫存 10
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製造商 CET
製造商零件編號 CEU630A
說明 N Channel Product CEU630A 200V 8.8A TO-252
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS
Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
製造商 CET
系列 CED630A/CEU630A
原廠料號 CEU630A
漏-源電壓VDS 200V
閘-源電壓 VGS ±20V
漏極電流ID 8.8A
漏-源擊穿電壓BVDSS 200V
閘極閥值電壓VGS(TH) 2~4V
功耗 62.5W
工作溫度 -55°C ~ 150°C
無鉛狀態 RoHS RoHS
安裝類型 SMD 表面黏著式
封裝/外殼 TO-252(D-PAK)
文件:CED630A/CEU630A​
CED630A/CEU630A
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES
  • 200V, 8.8A, RDS(ON) = 380mW @VGS = 10V.
  • Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
  • High power and current handing capability.
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant.
  • Halogen Free.
  • TO-251 & TO-252 package.

CED630A / CEU630A
N 通道增強型場效電晶體 (MOSFET)

特性

  • 耐壓 (VDS):200V
  • 導通電流 (ID):8.8A
  • 導通電阻 (RDS(ON)):380mΩ @ VGS = 10V
  • 超高密度單元設計,極低 RDS(ON)
  • 高功率與大電流處理能力
  • 無鉛鍍層,符合 RoHS 規範
  • 無鹵素
  • 封裝類型:TO-251 & TO-252