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SMD LED 0805 紅光 LTST-C170KRKT
| 附件下載 | |
| 商品名稱 | SMD 貼片LED燈 SMD CHIP LED LAMP |
| 訂購數量 | |
| 依數量訂價 | 10 NTD |
| FLYiNG 零件編號 | LEDLTSTC170KRKT |
| FLYiNG 庫存現貨 | 108 |
| 製造商 | LITE-ON |
| 製造商零件編號 | LTST-C170KRKT |
| 說明 | SMD LED 0805 紅光 LTST-C170KRKT |
| 無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 | RoHS |
| 訂購數量 | NTD 單價 / PCS |
| 1~9 | 10 |
| 10~99 | 5 |
| 100~2999 | 2 |
| 3000~ | 1 |
| LED | SMD 貼片LED燈 SMD CHIP LED LAMP |
| 製造商 | LITE-ON |
| 原廠料號 | LTST-C170KRKT |
| 說明 | SMD LED 0805 紅光 LTST-C170KRKT |
| 尺寸 | 0805 |
| 顏色 | 紅色 AllnGaP Red |
| 峰值波長 Peak Wavelength | 639nm |
| 正向電壓 Forward Voltage | 2V~2.4V |
| 功耗 Power dissipation | 75 mW |
| 正向電流 DC Forward Current | 30 mA |
| 反向電壓 Reverse Voltage | 5V |
| 工作溫度 | -55°C to + 85°C |
| 封裝／外殼 | 2.0X1.25X1.1 mm |
| 安裝類型 | 表面黏著式 SMD |
| 無鉛狀態 RoHS | RoHS |
| 標準包裝數量 | 3000/REEL 捲軸 |
Features
Meet ROHS, Green Product.
Ultra bright AlInGaP Chip LED.
Package In 8mm Tape On 7" Diameter Reels.
Compatible With Automatic Placement Equipment.
Compatible With Infrared And Vapor Phase Reflow Solder Process.
EIA STD package.
特徵
認識ROHS，綠色產品。
超亮AlInGaP芯片LED。
8mm膠帶包裝在7“直徑捲軸上。
兼容自動放置設備。
兼容紅外和氣相回流焊接工藝。
EIA STD包。
LED 發光二極體
LED原理-發光二極體(Light Emitting Diode, LED)在1950年代末於實驗室發展出來，
1968年HP開始商業化量產，早期只有單調的暗紅色電子產品指示燈，
1992年Nichia突破藍光LED技術障礙後，逐漸衍生出多重色彩，亮度也大幅提高，並以顯示器(Display)、
表面黏著型(SMD等各種封裝型態深入生活中各個層面。
LED是利用電能直接轉化為光能的原理，在半導體內正負極2個端子施加電壓，當電流通過，使電子與電洞相結合時，
剩餘能量便以光的形式釋放，依其使用的材料的不同，其能階高低使光子能量產生不同波長的光，
人眼所能接受到各種顏色的光，，其波長介於400-780nm，
在此區間之外則為不可見光，包括紅外光及紫外光(UV)。
多數LED被稱為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，
是由Ⅴ族元素(氮N、磷P、砷As等)與Ⅲ族元素(鋁Al、鎵Ga、銦In等)結合而成，
以與IC半導體所使用之矽(Si)等Ⅳ族元素區別。
傳統液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy, LPE) 與氣相磊晶法 (Vapor Phase Epitaxy, VPE)，
以磷化鎵(GaP)或砷化鎵(GaAs)為基板，用於生產中低亮度LED及紅外光IrDa晶粒，
其亮度在1燭光(1000mcd)以下。
有機金屬氣相磊晶法(Metal Organic Vapor Epitaxy, MOCVD)用於生產高亮度LED，
其亮度約在6000-8000mcd。
以AlGaInP四種元素為發光層材料在砷化鎵基板上磊晶者，發出紅、橙、黃光之琥珀色系，
通稱為四元LED；以GaN為材料所生產的藍、綠光LED，則稱為氮化物LED，
一般以藍寶石(Sapphire)為基板，美國大廠CREE則發展出以碳化矽(SiC)為基板的製程。
Meet ROHS, Green Product.
Ultra bright AlInGaP Chip LED.
Package In 8mm Tape On 7" Diameter Reels.
Compatible With Automatic Placement Equipment.
Compatible With Infrared And Vapor Phase Reflow Solder Process.
EIA STD package.
特徵
認識ROHS，綠色產品。
超亮AlInGaP芯片LED。
8mm膠帶包裝在7“直徑捲軸上。
兼容自動放置設備。
兼容紅外和氣相回流焊接工藝。
EIA STD包。
LED 發光二極體
LED原理-發光二極體(Light Emitting Diode, LED)在1950年代末於實驗室發展出來，
1968年HP開始商業化量產，早期只有單調的暗紅色電子產品指示燈，
1992年Nichia突破藍光LED技術障礙後，逐漸衍生出多重色彩，亮度也大幅提高，並以顯示器(Display)、
表面黏著型(SMD等各種封裝型態深入生活中各個層面。
LED是利用電能直接轉化為光能的原理，在半導體內正負極2個端子施加電壓，當電流通過，使電子與電洞相結合時，
剩餘能量便以光的形式釋放，依其使用的材料的不同，其能階高低使光子能量產生不同波長的光，
人眼所能接受到各種顏色的光，，其波長介於400-780nm，
在此區間之外則為不可見光，包括紅外光及紫外光(UV)。
多數LED被稱為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，
是由Ⅴ族元素(氮N、磷P、砷As等)與Ⅲ族元素(鋁Al、鎵Ga、銦In等)結合而成，
以與IC半導體所使用之矽(Si)等Ⅳ族元素區別。
傳統液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy, LPE) 與氣相磊晶法 (Vapor Phase Epitaxy, VPE)，
以磷化鎵(GaP)或砷化鎵(GaAs)為基板，用於生產中低亮度LED及紅外光IrDa晶粒，
其亮度在1燭光(1000mcd)以下。
有機金屬氣相磊晶法(Metal Organic Vapor Epitaxy, MOCVD)用於生產高亮度LED，
其亮度約在6000-8000mcd。
以AlGaInP四種元素為發光層材料在砷化鎵基板上磊晶者，發出紅、橙、黃光之琥珀色系，
通稱為四元LED；以GaN為材料所生產的藍、綠光LED，則稱為氮化物LED，
一般以藍寶石(Sapphire)為基板，美國大廠CREE則發展出以碳化矽(SiC)為基板的製程。
