圖片僅供參考
LED 1206 紅光 側光 LTST-S110KRKT
| 附件下載 | |
| 商品名稱 | SMD 貼片LED燈 SMD CHIP LED LAMP |
| 訂購數量 | |
| 依數量訂價 | 10 NTD |
| FLYiNG 零件編號 | LEDTSTS110KRKT |
| FLYiNG 庫存現貨 | 電洽/Contact |
| 製造商 | LITE-ON |
| 製造商零件編號 | LTST-S110KRKT |
| 說明 | LED 1206 紅光 側光 LTST-S110KRKT |
| 無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 | RoHS |
| 訂購數量 | NTD 單價 / PCS |
| 1~9 | 10 |
| 10~99 | 5 |
| 100~2999 | 3.6 |
| 3000~ | 1.8 |
| LED | SMD 貼片LED燈 SMD CHIP LED LAMP |
| 製造商 | LITE-ON |
| 原廠料號 | LTST-S110KRKT |
| 說明 | LED 1206 紅光 側光 LTST-S110KRKT |
| 尺寸 | 1206 |
| 顏色 | 紅色 AllnGaP Red |
| 峰值波長 Peak Wavelength | 639 nm |
| 正向電壓 Forward Voltage | 2.0V~2.4V |
| 功耗 Power dissipation | 75 mW |
| 正向電流 DC Forward Current | 30 mA |
| 反向電壓 Reverse Voltage | 5V |
| 工作溫度 | -55°C to + 85°C |
| 封裝／外殼 | 3.2X1.0X1.5 mm |
| 安裝類型 | 表面黏著式 SMD |
| 無鉛狀態 RoHS | RoHS |
| 標準包裝數量 | 3000/REEL 捲軸 |
Features
Meet ROHS, Green Product.
Side Looking Special For LCD Backlight.
Ultra Bright AlInGaP Chip LED.
Package In 8mm Tape On 7" Diameter Reels.
EIA STD package.
I. C compatible.
Compatible With Automatic Placement Equipment.
Compatible With Infrared And Vapor Phase Reflow Solder Process.
------------------------------------------------------
特徵
符合ROHS，綠色產品。
側面看液晶背光專用。
超亮AlInGaP芯片LED。
包裝在7“直徑捲軸上的8mm膠帶上。
EIA STD包裝。
I. C兼容。
與自動貼裝設備兼容。
兼容紅外和氣相回流焊接工藝。
LED 發光二極體
LED原理-發光二極體(Light Emitting Diode, LED)在1950年代末於實驗室發展出來，
1968年HP開始商業化量產，早期只有單調的暗紅色電子產品指示燈，
1992年Nichia突破藍光LED技術障礙後，逐漸衍生出多重色彩，亮度也大幅提高，並以顯示器(Display)、
表面黏著型(SMD等各種封裝型態深入生活中各個層面。
LED是利用電能直接轉化為光能的原理，在半導體內正負極2個端子施加電壓，當電流通過，使電子與電洞相結合時，
剩餘能量便以光的形式釋放，依其使用的材料的不同，其能階高低使光子能量產生不同波長的光，
人眼所能接受到各種顏色的光，，其波長介於400-780nm，
在此區間之外則為不可見光，包括紅外光及紫外光(UV)。
多數LED被稱為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，
是由Ⅴ族元素(氮N、磷P、砷As等)與Ⅲ族元素(鋁Al、鎵Ga、銦In等)結合而成，
以與IC半導體所使用之矽(Si)等Ⅳ族元素區別。
傳統液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy, LPE) 與氣相磊晶法 (Vapor Phase Epitaxy, VPE)，
以磷化鎵(GaP)或砷化鎵(GaAs)為基板，用於生產中低亮度LED及紅外光IrDa晶粒，
其亮度在1燭光(1000mcd)以下。
有機金屬氣相磊晶法(Metal Organic Vapor Epitaxy, MOCVD)用於生產高亮度LED，
其亮度約在6000-8000mcd。
以AlGaInP四種元素為發光層材料在砷化鎵基板上磊晶者，發出紅、橙、黃光之琥珀色系，
通稱為四元LED；以GaN為材料所生產的藍、綠光LED，則稱為氮化物LED，
一般以藍寶石(Sapphire)為基板，美國大廠CREE則發展出以碳化矽(SiC)為基板的製程。
Meet ROHS, Green Product.
Side Looking Special For LCD Backlight.
Ultra Bright AlInGaP Chip LED.
Package In 8mm Tape On 7" Diameter Reels.
EIA STD package.
I. C compatible.
Compatible With Automatic Placement Equipment.
Compatible With Infrared And Vapor Phase Reflow Solder Process.
------------------------------------------------------
特徵
符合ROHS，綠色產品。
側面看液晶背光專用。
超亮AlInGaP芯片LED。
包裝在7“直徑捲軸上的8mm膠帶上。
EIA STD包裝。
I. C兼容。
與自動貼裝設備兼容。
兼容紅外和氣相回流焊接工藝。
LED 發光二極體
LED原理-發光二極體(Light Emitting Diode, LED)在1950年代末於實驗室發展出來，
1968年HP開始商業化量產，早期只有單調的暗紅色電子產品指示燈，
1992年Nichia突破藍光LED技術障礙後，逐漸衍生出多重色彩，亮度也大幅提高，並以顯示器(Display)、
表面黏著型(SMD等各種封裝型態深入生活中各個層面。
LED是利用電能直接轉化為光能的原理，在半導體內正負極2個端子施加電壓，當電流通過，使電子與電洞相結合時，
剩餘能量便以光的形式釋放，依其使用的材料的不同，其能階高低使光子能量產生不同波長的光，
人眼所能接受到各種顏色的光，，其波長介於400-780nm，
在此區間之外則為不可見光，包括紅外光及紫外光(UV)。
多數LED被稱為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，
是由Ⅴ族元素(氮N、磷P、砷As等)與Ⅲ族元素(鋁Al、鎵Ga、銦In等)結合而成，
以與IC半導體所使用之矽(Si)等Ⅳ族元素區別。
傳統液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy, LPE) 與氣相磊晶法 (Vapor Phase Epitaxy, VPE)，
以磷化鎵(GaP)或砷化鎵(GaAs)為基板，用於生產中低亮度LED及紅外光IrDa晶粒，
其亮度在1燭光(1000mcd)以下。
有機金屬氣相磊晶法(Metal Organic Vapor Epitaxy, MOCVD)用於生產高亮度LED，
其亮度約在6000-8000mcd。
以AlGaInP四種元素為發光層材料在砷化鎵基板上磊晶者，發出紅、橙、黃光之琥珀色系，
通稱為四元LED；以GaN為材料所生產的藍、綠光LED，則稱為氮化物LED，
一般以藍寶石(Sapphire)為基板，美國大廠CREE則發展出以碳化矽(SiC)為基板的製程。
