標準包裝數量

1000/Bag 散裝

BL-B5141-AT

Features

• Chip material: GaP/GaP
• Emitted color : Bright Red
• Lens Appearance : Red Diffused
• Low power consumption.
• High efficiency.
• Versatile mounting on P.C. Board or panel.
• Low current requirement.
• 3mm diameter package.
• This product don’t contained restriction substance, compliance RoHS standard.

​Applications

• TV set
• Monitor
• Telephone
• Computer
• Circuit board

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BL-B5141-AT

特徵

• 芯片材質：GaP / GaP
• 發光顏色：鮮紅色
• 鏡片外觀：紅色擴散
• 低功耗。
• 高效率。
• 多功能安裝在P.C. 板或面板。
• 低電流要求。
• 直徑3mm的包裝。
• 該產品不含限制物質，符合RoHS標準。

應用

• 電視機
• 監控
• 電話
• 電腦
• 電路板

LED 發光二極體

LED原理-發光二極體(Light Emitting Diode, LED)在1950年代末於實驗室發展出來，

1968年HP開始商業化量產，早期只有單調的暗紅色電子產品指示燈，

1992年Nichia突破藍光LED技術障礙後，逐漸衍生出多重色彩，亮度也大幅提高，

並以顯示器(Display)、表面黏著型(SMD等各種封裝型態深入生活中各個層面。

LED是利用電能直接轉化為光能的原理，在半導體內正負極2個端子施加電壓，

當電流通過，使電子與電洞相結合時，剩餘能量便以光的形式釋放，依其使用的材料的不同，

其能階高低使光子能量產生不同波長的光，人眼所能接受到各種顏色的光，

其波長介於400-780nm，在此區間之外則為不可見光，包括紅外光及紫外光(UV)。 

多數LED被稱為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，是由Ⅴ族元素(氮N、磷P、砷As等)

與Ⅲ族元素(鋁Al、鎵Ga、銦In等)結合而成，以與IC半導體所使用之矽(Si)等Ⅳ族元素區別。

傳統液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy, LPE) 

與氣相磊晶法 (Vapor Phase Epitaxy, VPE)，以磷化鎵(GaP)或砷化鎵(GaAs)為基板，

用於生產中低亮度LED及紅外光IrDa晶粒，其亮度在1燭光(1000mcd)以下。

有機金屬氣相磊晶法(Metal Organic Vapor Epitaxy, MOCVD)用於生產高亮度LED，

其亮度約在6000-8000mcd。

以AlGaInP四種元素為發光層材料在砷化鎵基板上磊晶者，

發出紅、橙、黃光之琥珀色系，通稱為四元LED；以GaN為材料所生產的藍、綠光LED，

則稱為氮化物LED，一般以藍寶石(Sapphire)為基板，美國大廠CREE則發展出以碳化矽(SiC)為基板的製程。