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商品名稱 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
訂購數量 | |
依數量訂價 | 15 NTD |
FLYiNG 零件編號 | ICCEP30P03CET |
FLYiNG 庫存現貨 | 電洽/Contact |
製造商 | CET |
製造商零件編號 | CEP30P03 |
說明 | P Channel CEP30P03 30V 30A TO-220 |
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 | RoHS |
訂購數量 | NTD 單價 / PCS |
1~9 | 15 |
10~99 | 10 |
Power MOSFET | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
製造商 | CET |
系列 | CEP30P03/CEB30P03 |
原廠料號 | CEP30P03 |
漏-源電壓VDSS | -30V |
閘-源電壓 VGSS | ±20V |
漏極電流ID | -30A |
漏-源擊穿電壓BVDSS | -30V |
閘極閥值電壓VGS(TH) | -1~-3V |
功耗 | 50W |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C |
無鉛狀態 RoHS | RoHS |
安裝類型 | DIP 引腳 |
封裝/外殼 | TO-220 |
標準包裝數量 | 50/Tube,1000/Box |
重量 | 1920mg |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
-30V, -30A, RDS(ON) =32mW @VGS = -10V
RDS(ON) =50mW @VGS = -4.5V
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON)
High power and current handing capability
Lead free product is acquired
TO-220 & TO-263 package
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P通道增強模式場效應晶體管
特徵
-30V,-30A,RDS(ON)= 32mW @VGS = -10V
RDS(開啟)= 50mW @VGS = -4.5V
超高密度電池設計,RDS(ON)極低
高功率和電流處理能力
獲得無鉛產品
TO-220和TO-263封裝