LED	SMD CHIP LED LAMP
製造商	ROHM
原廠料號	SML-D12M8WT86
說明	SMD LED 0603 黃綠光 0.55mm SML-D12M8WT86
尺寸	0603
顏色	黃綠光
峰值波長 Peak Wavelength	572nm
正向電壓 Forward Voltage	2.2V
功耗 Power dissipation	54mW
正向電流 DC Forward Current	20mA
反向電壓 Reverse Voltage	5V
工作溫度	-40°C To +85°C
封裝／外殼	1.6x0.8x0.55 mm
安裝類型	表面黏著式 SMD
無鉛狀態 RoHS	RoHS
特點	High Brightness type 高亮度型
標準包裝數量	3000/REEL 捲軸

Original device technology enables high brightness and high reliability
原始設備技術可實現高亮度和高可靠性


LED 發光二極體

LED原理-發光二極體(Light Emitting Diode, LED)在1950年代末於實驗室發展出來，

1968年HP開始商業化量產，早期只有單調的暗紅色電子產品指示燈，

1992年Nichia突破藍光LED技術障礙後，逐漸衍生出多重色彩，亮度也大幅提高，並以顯示器(Display)、

表面黏著型(SMD等各種封裝型態深入生活中各個層面。

LED是利用電能直接轉化為光能的原理，在半導體內正負極2個端子施加電壓，當電流通過，使電子與電洞相結合時，

剩餘能量便以光的形式釋放，依其使用的材料的不同，其能階高低使光子能量產生不同波長的光，

人眼所能接受到各種顏色的光，，其波長介於400-780nm，

在此區間之外則為不可見光，包括紅外光及紫外光(UV)。 

多數LED被稱為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，

是由Ⅴ族元素(氮N、磷P、砷As等)與Ⅲ族元素(鋁Al、鎵Ga、銦In等)結合而成，

以與IC半導體所使用之矽(Si)等Ⅳ族元素區別。

傳統液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy, LPE) 與氣相磊晶法 (Vapor Phase Epitaxy, VPE)，

以磷化鎵(GaP)或砷化鎵(GaAs)為基板，用於生產中低亮度LED及紅外光IrDa晶粒，

其亮度在1燭光(1000mcd)以下。

有機金屬氣相磊晶法(Metal Organic Vapor Epitaxy, MOCVD)用於生產高亮度LED，

其亮度約在6000-8000mcd。

以AlGaInP四種元素為發光層材料在砷化鎵基板上磊晶者，發出紅、橙、黃光之琥珀色系，

通稱為四元LED；以GaN為材料所生產的藍、綠光LED，則稱為氮化物LED，

一般以藍寶石(Sapphire)為基板，美國大廠CREE則發展出以碳化矽(SiC)為基板的製程。